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NXP Semiconductors
PRTR5V0U6AS
High speed interface ESD protection to IEC 61000-4-2 level 4
6. Characteristics
Table 5. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
C (I/O-GND)
input/output to ground
V I = 0 V; f = 1 MHz; V CC = 3 V
[1]
-
1.0
-
pF
capacitance
I LR
V BR
reverse leakage current
breakdown voltage
V I = 3 V
Zener diode; I I = 1 mA
[1]
[2]
-
6
-
-
100
9
nA
V
C sup
V F
supply pin to ground capacitance V I = 0 V; f = 1 MHz; V CC = 3 V
forward voltage
[2]
-
-
30
0.7
-
-
pF
V
[1]
[2]
Measured from pin 1, 2, 4, 5, 6 and 8 to ground.
Measured from pin 7 to ground.
PRTR5V0U6AS_1
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 18 February 2008
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